1.结构
单结晶体管的内部结构、符号表示、等效电路和引脚布置如图1（a）、（b）、（c）和（d）所示。引脚B1和B2分别为第一基极和第二基极（双基极），E为发射极。在e极和n型硅晶片之间形成PN结。从PN结的点a到两个基极的等效电阻分别由RB1和Rb2表示。两个碱基之间的电阻由RBB表示，RBB＝RB1+Rb2。
2.工作原理及特点
单结管的伏安特性曲线如图2所示。它分为三个区域-截止区、负电阻区和饱和区。
图3是单连接管的工作原理图。在电路中，使基极2（B2）的电位高于基极L（B1），并且图中电源电压VBB的正极连接到B2，负极连接到B1；并且发射极连接到触发电压ve。
即使单结晶体管处于截止区，从B1到B2仍有少量电流。沿n型硅晶片存在电压梯度VA。发射极电压VE等于起始电压或峰值电压VP（VP=VA+VD，VD是EB1之间的正向电压降，通常约为0.6-0.7v），PN结为正偏置，单结晶体管导通。在启动期间，B1和E之间的电阻迅速减小，从B1到B2的电流增加。同时，相当大的电流从e流出，使RB1处于低电阻状态，并且管进入负电阻区域。当VE低于谷电压（VV）时，晶体管进入饱和区并关断单结晶体管。发射极起始电压VP由分压比η=RB1/RBB确定。
单结晶体管具有负电阻特性，可用于形成自激多谐振荡器、步进波发生器、定时电路和其他脉冲单元电路。它们广泛应用于脉冲和数字电路中。
3.主要参数
（1） 当基极间电阻RBB的发射极开路时，基极B1和B2之间的电阻通常为2-10千欧姆，其值随着温度升高而增加。
（2） 分压比η由管道内部结构确定的常数通常为0.3-0.85。
（3） EB1之间的反向电压vcb1b2开路，基极B1和发射极e之间的反向耐受电压低于额定反向电压Vbb2。
（4） 反向电流ieob1开路，并且在额定反向电压vcb2下的反向电流Eb2之间。
（5） 发射极饱和电压降VEO是最大发射极额定电流下EB1之间的电压降。
（6） 峰值电流IP：发射极电压为单结晶体管刚导通时的峰值电压时的发射极电流
